DMC4047LSD-13

制造商: DIODES INCORPORATED

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: MOSFET - 阵列 40V 7A,5.1A 1.3W 表面贴装型 8-SO

物料参数

技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A,5.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):19.1nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1060pF @ 20V
功率 - 最大值:1.3W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO